图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 18@Q 1|30@Q 2 A |
| RDS -于 | 3.2@10V@Q 1|1.2@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 3.3@Q 1|3.8@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 2.8@Q 1|5.4@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15@Q 1|25@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 2.2@Q 1|4@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V, 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TISON-8 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V, 1.2 V |
| 宽度 | 5.15 mm |
| Qg - Gate Charge | 12 nC, 37 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, 20 V |
| 下降时间 | 2.2 ns, 4 ns |
| 封装 | Reel |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 38 S, 65 S |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A, 40 A |
| 长度 | 5.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 mOhms, 900 uOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | BSC0911 |
| 身高 | 1.27 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 上升时间 | 2.8 ns, 5.4 ns |
| 技术 | Si |
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